Saules paneļu ražošanas process

Saules bateriju specifiskā ražošanas procesa apraksts

(1) Sagriešana: izmantojot vairāku līniju griešanu, silīcija stieni sagriež kvadrātveida silīcija plāksnēs.

(2) Tīrīšana: izmantojiet parastās silīcija plāksnītes tīrīšanas metodes un pēc tam izmantojiet skābes (vai sārma) šķīdumu, lai noņemtu 30-50mm bojājumu slāni uz silīcija plāksnītes virsmas.

(3) Zamšādas sagatavošana: silīcija vafelei veic anizotropu kodināšanu ar sārma šķīdumu, lai sagatavotu zamšādu uz silīcija vafeles virsmas.

(4) Fosfora difūzija: difūzijai izmantojiet pārklājuma avotu (vai šķidru avotu, vai cietu fosfora nitrīda pārslu avotu), lai izveidotu PN plus savienojumu, un savienojuma dziļums parasti ir 0.3-0 .5um.

(5) Perifērā kodināšana: difūzijas slānis, kas veidojas uz silīcija vafeles perifērās virsmas difūzijas laikā, īssavienos akumulatora augšējo un apakšējo elektrodu, un perifērais difūzijas slānis tiek noņemts, maskējot mitro kodināšanu vai plazmas sauso kodināšanu.

(6) Noņemiet aizmugurējo PN plus savienojumu. Aizmugurējo PN plus savienojumu parasti noņem ar mitru kodināšanu vai slīpēšanu.

(7) Augšējo un apakšējo elektrodu izgatavošana: izmantojot vakuuma iztvaicēšanu, bezvada niķeļa pārklājumu vai alumīnija pastas drukāšanu un saķepināšanu. Vispirms tiek izgatavots apakšējais elektrods, pēc tam augšējais elektrods. Alumīnija pastas drukāšana ir plaši izmantota procesa metode.

(8) Pretrefleksijas plēves izgatavošana: lai samazinātu atstarošanas zudumu, uz silīcija plāksnītes virsmas jāpārklāj pretatstarošanās plēves slānis. Materiāli pretatstarošanas plēves izgatavošanai ir MgF2, SiO2, Al2O3, SiO, Si3N4, TiO2, Ta2O5 utt. Procesa metode var būt vakuuma pārklāšanas metode, jonu pārklāšanas metode, izsmidzināšanas metode, drukāšanas metode, PECVD metode vai izsmidzināšanas metode. .

(9) Saķepināšana: saķepiniet akumulatora mikroshēmu uz niķeļa vai vara pamatnes.

(10) Testa klasifikācija: saskaņā ar norādītajām parametru specifikācijām, testa klasifikācija.